1.這是在其上面產(chǎn)生負(fù)偏壓的電阻器。

2.可相對(duì)于連接件向遠(yuǎn)端偏壓保持件。

3.雪崩光電二極管APD的偏壓產(chǎn)生電路。

4.一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測(cè)量、RF功率計(jì)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、RF源，以及其它儀器。

5.構(gòu)造圓形截面正截面偏壓承載力極限狀態(tài)方程時(shí)，采用二次多項(xiàng)式替代了求解受壓區(qū)混凝土截面面積的圓心角的超越方程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)該節(jié)點(diǎn)的可靠度計(jì)算。

6.不同釘扎層所貢獻(xiàn)的漏磁場(chǎng)導(dǎo)致自由層有不同的矯頑場(chǎng)及偏壓場(chǎng)。

7.利用負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)熱燈絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)制備了碳納米管。

8.處理后，器件各柵偏壓下的源漏飽和電流降低了，柵漏擊穿電壓有了顯著提高。

9.其只利用幾個(gè)模擬參數(shù)，就能準(zhǔn)確的推測(cè)電子傳輸率在各種閘極偏壓下的大小。

10.研究了處理時(shí)間、氣體流量和電極偏壓對(duì)增塑劑滲出量的影響。

11.結(jié)果表明隨著負(fù)偏壓的增大，準(zhǔn)直碳納米管的平均直徑減小，平均長(zhǎng)度增大。

12.于一實(shí)施例中，該集成電路經(jīng)由第一節(jié)點(diǎn)接收來自麥克風(fēng)的第一信號(hào)，包括偏壓電路及緩沖電路。

13.采用有限差分軟件，對(duì)淺埋偏壓單線鐵路隧道和四車道公路隧道進(jìn)行數(shù)值模擬。

14.磁偏壓約e時(shí)，模型表現(xiàn)出的磁電效應(yīng)最強(qiáng)。

15.若要測(cè)量正向偏壓，需施加規(guī)定的電流，然后測(cè)量產(chǎn)生的壓降。

16.正向信號(hào)則使它的正向偏壓減弱。

17.注意到這并不比固定偏壓的例子復(fù)雜。

18.在很大的反向偏壓下，光電流緊隨著電吸收發(fā)生變化。

19.研究表明，負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)成核主要是發(fā)射電子和離子轟擊的結(jié)果。

20.當(dāng)左右電子庫之間存在偏壓時(shí)，通過對(duì)系統(tǒng)的自旋電流與電荷流公式的分析，得到系統(tǒng)中只存在電荷流而沒有自旋電流的條件。

21.用戶可以設(shè)定測(cè)量信號(hào)的直流偏壓，測(cè)量振幅，脈沖寬度。

22.本文采用交替施加高偏壓和低偏壓的方法，合成出了具有軟膜和硬膜結(jié)構(gòu)的無氫類金剛石多層膜。

23.假如隧道在較長(zhǎng)范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向，而覆蓋層又較薄或偏壓很大，就會(huì)輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。

24.變壓器可在兩個(gè)晶體管之間隔離直流偏壓。

25.通過在硅波導(dǎo)上添加反向偏壓的PIN結(jié)構(gòu)，建立了完整的全硅激光器系統(tǒng)。

26.當(dāng)正向偏壓足夠高時(shí)，擴(kuò)散電容很容易超過空間電荷壓電容。

27.軟巖地區(qū)淺埋偏壓大跨度隧道進(jìn)口段極易塌方。

28.本文主要論述基板員偏壓與銅基體磁控濺射離子鍍鋁膜的關(guān)系。

29.通過改變不同的反向偏壓，利用不同的測(cè)試頻率可得出量子點(diǎn)中相應(yīng)的空穴的激活能。

30.干涉儀的兩個(gè)臂長(zhǎng)相差波導(dǎo)波長(zhǎng)的四分之一，使器件在最佳線性點(diǎn)工作，無需外加電偏壓。

31.利用ECR-微波等離子濺射沉積技術(shù)不同偏壓下在#鋼基體上制備了ZrN薄膜。

32.基極的順向偏壓通常是用和集極相同的電壓源。

33.負(fù)偏壓不穩(wěn)定性已成為現(xiàn)代集成電路制造的巨大挑戰(zhàn)。

34.結(jié)果表明擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散距離都隨著負(fù)襯底偏壓的增大而增大。