181.HP標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試結(jié)果表明，器件的模式匹配法仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)結(jié)果吻合很好。
182.它在所有的器件中是傳導(dǎo)延時(shí)最短的。
183.半導(dǎo)體分立器件和集成電路。第部分:光電子器件。測(cè)量方法。
184.發(fā)現(xiàn)器件的功能性缺陷并及時(shí)修復(fù)。
185.通過(guò)對(duì)光刻工藝過(guò)程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機(jī)械、微光學(xué)器件提供了參考依據(jù)，對(duì)微浮雕結(jié)構(gòu)的深刻蝕具有重要的指導(dǎo)意義。
186.結(jié)果是每單位時(shí)間和金錢(qián)更高的器件生產(chǎn)率。
187.電容器被稱是一種存儲(chǔ)電力的器件。
188.這種靜電能損害甚至破壞敏感的電子元器件，消除或更改磁性介質(zhì)，在可燃環(huán)境中能引爆或起火。
189.范德格拉夫起電機(jī)后來(lái)成為了早期粒子加速器的關(guān)鍵器件。
190.近年來(lái)，數(shù)值模擬方法作為工藝和器件發(fā)展的重要輔助工具已經(jīng)嶄露頭角。
191.納米科技的發(fā)展和應(yīng)用涉及納米器件的加工、制作以及加工表面特征、性質(zhì)和功能等研究。
192.此時(shí)CPO需要比供給商加倍奸狡，為獲得充沛的供給和最佳價(jià)錢(qián)而恰當(dāng)安排DRAM和其它器件的采購(gòu)。
193.步進(jìn)電機(jī)作為反應(yīng)器件，對(duì)被保護(hù)物品實(shí)施保護(hù)。
194.在器件中引入增益耦合機(jī)制以提高單模成品率，并采用感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)以降低調(diào)制器電容。
195.本文介紹SIMS技術(shù)在半導(dǎo)體分離器件剖析中的應(yīng)用。
196.半導(dǎo)體器件。機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法。第分:溫度的急速變化。雙液電鍍槽法。
197.本文首先建立了一個(gè)SOIMOSFET器件的直流漏電流模型和閾值電壓模型，模型考慮了速度飽和效應(yīng)。
198.采用先進(jìn)的逆變技術(shù)和進(jìn)口MOSFET功率開(kāi)關(guān)器件。
199.更吸引人的是采用FPGA器件可以將原來(lái)的電路板級(jí)產(chǎn)品集成為芯片級(jí)產(chǎn)品，從而降低了功耗，嘗試了FPGA在低功耗、低數(shù)據(jù)率系統(tǒng)的應(yīng)用。
200.在聚合物電致發(fā)光器件中，通過(guò)在不同功能層中摻雜二氧化鈦納米管來(lái)改善器件的性能。
201.鉬板材主要用作電光源零件、電真空器件、隔熱屏、發(fā)熱器、鉬電極及鉬舟、鉬坩堝等，用途廣泛，市場(chǎng)前景看好。
202.數(shù)值分析的結(jié)果表明，硅雙結(jié)色敏器件對(duì)復(fù)色光色差有良好的辨識(shí)能力。
203.該結(jié)構(gòu)降低了器件的寄生電容，改善了敏感薄膜的負(fù)阻特性，適用于共振隧穿效應(yīng)陀螺。
204.寬頻帶高功率器件成為主要研究對(duì)象。
205.這種以有序介孔二氧化硅為模板制備的聚苯胺的單分子導(dǎo)線，有潛力應(yīng)用在新型的電子或光電子器件上。
206.余姚匯佳通信設(shè)備有限公司坐落于享有“塑料王國(guó)”、“模具之鄉(xiāng)”盛名之稱的浙江省余姚市，是一家以生產(chǎn)、銷(xiāo)售光纖通信器件產(chǎn)品為主，擁有自主進(jìn)出口權(quán)的民營(yíng)企業(yè)。
207.這個(gè)最新的器件使小方冰塊盤(pán)變成廢物。
208.因此，對(duì)電子器件內(nèi)部噪聲和常規(guī)電參數(shù)的檢測(cè)與分析有著重要的工程意義。
209.應(yīng)用液晶電光效應(yīng)設(shè)計(jì)的兩種特殊的光學(xué)器件——液晶光快門(mén)和液晶透鏡。
210.討論了將這種系統(tǒng)應(yīng)用于光學(xué)開(kāi)關(guān)、中繼及分路器件的可能性。
211.這篇論文以0。mCMOS器件的不匹配性為研究對(duì)象，主要模擬其溫度和電壓效應(yīng)。
212.納米力學(xué)是研究納米尺度材料、器件與結(jié)構(gòu)的力學(xué)。
213.反熔絲器件廣泛地應(yīng)用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中。
214.鉭及鉭鎢合金絲主要用于醫(yī)學(xué)植入、高溫爐加熱元器件等。
215.利用電子束光刻技術(shù)制作了基于鈦酸鈉納米線的納米器件。
216.KI列突跳式溫控器是小型雙金屬片溫控器，屬溫度繼電器類器件。
217.據(jù)專家介紹，電路板的制作也是決定節(jié)能燈壽命的一個(gè)關(guān)鍵因素，大企業(yè)采用的是全自動(dòng)插件機(jī)，能保證各個(gè)元器件位置準(zhǔn)確，焊接牢固。
218.從理論上分析了EDG器件的特性。
219.分析ISP器件的結(jié)構(gòu)和性能，并介紹ISP下載方法。
220.設(shè)計(jì)了新型的光開(kāi)關(guān)器件，該器件建立在摻雜電光材料的一維光子晶體上。
221.可以預(yù)計(jì)，只要在器件上作某些更換，亦可制成工作速率更高的時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)模塊。
222.采用這種結(jié)構(gòu)，可以給出具有高亮度和極好顯色性的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
223.它根據(jù)分光測(cè)色的原理，使用型凹面光柵作為其分光器件，石英光纖做測(cè)色探頭，線陣CCD為探測(cè)器。
224.在所研制的新型無(wú)觸點(diǎn)電力穩(wěn)壓器中，采用晶閘管作為開(kāi)關(guān)器件。
225.為提高貼片機(jī)生產(chǎn)效率，對(duì)貼片機(jī)貼裝過(guò)程中的元器件拾取貼放順序進(jìn)行優(yōu)化，提出一種改進(jìn)的蟻群算法。
226.這有助于加快紅色發(fā)光材料的發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光器件的全彩色顯示。
227.本文重點(diǎn)介紹了其中部分器件的研究。
228.我們應(yīng)考慮這個(gè)條形電極接觸器件。
229.通過(guò)對(duì)模擬結(jié)果的分析，提出了提高電荷耦合器件電荷傳輸效率的具體意見(jiàn)。
230.這些結(jié)果對(duì)于設(shè)計(jì)光子晶體器件有著指導(dǎo)作用。
231.對(duì)于每個(gè)器件，確定最大輸入低電壓門(mén)限。
232.由于采用了一些高集成度、低電壓的器件，提高了主控站的集成度和可擴(kuò)展性，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
233.根據(jù)器件要求，選擇合適的材料系列，可實(shí)現(xiàn)器件性能的優(yōu)化。
234.這些高速開(kāi)關(guān)器件取代慢，少的高效雙極晶體管，增改善的表現(xiàn)，雙方的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和伺服放大器。
235.這是在電子所內(nèi)首次利用PLD器件實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理的復(fù)雜算法。
236.不需要檢測(cè)器件來(lái)檢測(cè)運(yùn)行張力和運(yùn)行速度，而且連布厚也不需要設(shè)置，卷染機(jī)控制系統(tǒng)通過(guò)自學(xué)習(xí)能輕松獲得所有參數(shù)。
237.這個(gè)損耗比較大，可能是由于聲光調(diào)Q器件的布拉格角調(diào)整的不準(zhǔn)確造成。
238.多鐵性材料，由于同時(shí)具有鐵電性和鐵磁性使其在信息存儲(chǔ)、自旋電子器件等方面有著潛在的應(yīng)用。
239.c安規(guī)器件合格與否的判定。
240.所有數(shù)字邏輯功能都在CPLD器件上用VHDL語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)。
