181.MMCX系列小型射頻同軸連接器是一種比MCX更小的微型產品。
182.其中，由于預失真法結構簡單、成本低和線性化好，本論文根據預失真法的基本原理，設計了一個基于低頻偶次項互調產物的射頻預失真器。
183.本發明涉及一種寬帶射頻功率放大器建模方法。
184.本文介紹了利用DDS來產生線性掃頻信號的射頻信號發生單元的設計。
185.為了驗證理論分析，設計了射頻調制法測試介質膜濾波器群速度延時的實驗裝置。
186.本文設計討論了射頻目標功率校準裝置和角度校準系統。
187.射頻識別標簽已無足輕重。
188.一旦射頻設備收集的信號從模擬到數字的格式轉換之后，后端處理器將對傳感器信號進行分析。
189.采用Hittite公司MMIC元器件和微帶電路，實現了測距雷達射頻系統的功能。
190.擴頻通信的射頻信號頻帶寬度，可擴展到信息信號頻帶寬度的數倍乃至數千倍。
191.射頻工程袖珍手冊源代碼完整，并可以直接使用。
192.射頻晶體管的最低噪聲系數通常不在輸入完全匹配的地方。
193.結果:室上速經射頻消融手術護理獲手術成功。
194.大多數研究都聚焦在手機使用者的射頻訊號暴露值上。
195.在適當設計的器件中，運用輸入射頻信號也能激勵異質谷間轉移電子效應而觸發輸出放大信號。
196.目的:為了改善晚期腫瘤患者生活質量，觀察局部射頻透熱化療治療惡性胸腔積液患者的臨床療效。
197.脾臟射頻消融是一種新興的治療脾亢的保脾治療方法。
198.防潮、防腐、防雷擊、防射頻干擾。
199.得到輻射頻譜分布將是與電子的初速度、磁場強度有關。
200.射頻消融是否對孤立腎更安全？
201.結論T波記憶是顯性預激綜合征患者射頻消融術后常見的一種心電現象，不具病理意義。
202.介紹一種用于適用于超高頻段以上的射頻讀寫器功率控制方案。
203.功率分析儀提供了功率和發射頻率的信息，也可以克服由于功率計有限視頻帶寬而引起的的錯誤讀數。
204.結果患者射頻消融治療后，根治，有效。
205.射頻功率放大器增加了調變載波的功率。
206.它通常出現在射頻，葉片通過頻率和整流子刷頻率，其高次諧波。
207.所設計的射頻光收發模塊具有功能更加全面，性能指標更加優良的特點。
208.選擇和測試新的射頻器件。
209.射頻標簽就是含有物品唯一標識體系的編碼的標簽。
210.大隱靜脈主干射頻閉鎖聯合外側畸形靜脈高位結扎和EVLT治療肢體。
211.射頻仿真測試產品主要包括雷達仿真測試和衛星導航仿真測試兩大類，均是國防現代化領域的發展重點。
212.有許多協定被提出來保護無線射頻辨識系統的隱私性與安全性。
213.采用磁控射頻反應濺射法在單晶硅片上制備了二氧化硅薄膜。
214.模擬衰減器在射頻和微波網絡中有廣泛的應用，可用砷化鎵MMICS和PIN二極管網絡實現。
215.此射頻電子標簽與標準CMOS工藝兼容，并通過流片和實測驗證。
216.應用范圍包括，和優越的IMD的免疫力非常高的射頻領域的赫相鄰信道的DX。
217.真空室內的氣體等離子體可由熱燈絲或射頻放電產生，外還配置了金屬等離子體源、兩套磁控濺射靶和冷卻靶臺。
218.射頻濾波器插入損耗的測量方法。
219.平面螺旋電感是射頻電路設計中最重要的無源元件。
220.基本上，除了肝移植，還有其他治療，例如射頻消融、栓塞、化療。
221.分析了前端部件中本振源相位噪聲和混頻器本振射頻端口隔離度對系統探測性能的影響，指出在距離較近時影響明顯。
222.美國希望到部署戰車射頻干擾器。
223.低溫等離子射頻治療鼻炎能好嗎？
224.目的探討鼻內窺鏡下射頻治療腺樣體肥大的療效。
225.盡管處于待機形態，手機也會開釋較低強度的射頻能量。
226.采用射頻磁控濺射技術制備出硼碳氮薄膜。
227.一種頂端負載之類梯形平面天線，其中，頂端負載之類梯形平面天線形成在一基板表面，并藕接至一射頻電路。
228.射頻識別技術的發展，使得研制這種巡更機成為可能。
229.用線性內插法繪出射頻功率―頻率曲線，并討論了影響電火工品射頻接收的因素。
230.本文設計了一種一維準周期衍射光柵，理論計算結果表明該光柵的衍射頻譜具有自相似性。文中還研究了不同相位子強度對結構因子的影響。
231.正交分頻多工;多媒體;無線通訊系統;射頻電路;多路徑干擾;非線性。
232.方法總結臨床利用等離子低溫射頻治療儀治療鼻出血病例資料，總結其護理要點。
233.本文主要根據射頻識別技術來實現一種便捷的巡更系統。
234.該文提出了一種新的基于射頻六端口網絡的多頻帶OFDM解調器。
235.方法:用電子束蒸發和射頻磁控濺射兩種技術制備了天然HA薄膜。
236.通過對轉管機槍的射頻檢測試驗表明該方法是可行的。
237.應用于數字高清電視的射頻電視調諧器就是其中之一。
238.結論:非侵入性射頻治療是一種可選擇用于治療中重度尋常性痤瘡安全、有效的方法。
239.用射頻磁控濺射法制備了富硅二氧化硅薄膜。
240.采用射頻-直流等離子體增強化學氣相沉積技術在單晶硅襯底上沉積了類金剛石薄膜。
