1.通過與一維模型的比較，說明在深亞微米SOIMOSFET器件中隱埋層的二維效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致器件提前出現(xiàn)短溝道效應(yīng)。
2.骨干壩的布局應(yīng)遵循三均衡原則，即單壩區(qū)間控制面積基本均衡，對(duì)干支溝的溝道控制基本均衡，單壩淤地面積與區(qū)間控制面積的比值基本均衡。
3.為了使溝道效應(yīng)最小，GaAs靶應(yīng)稍偏離離子束的軸向。
4.溝道效應(yīng)的運(yùn)動(dòng)阻尼與系統(tǒng)走向混沌的臨界特征。
5.被排出的漿液通過溝道被送到吸收塔排水坑。
6.湖底扇、辮狀溝道砂體易于形成巖性油氣藏。
7.帶電粒子在晶體中的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)的強(qiáng)烈影響。
8.由于溝道存在很強(qiáng)的溝床和溝壁侵蝕，溝道也成為土壤侵蝕風(fēng)險(xiǎn)區(qū)。
9.溝道雜質(zhì)濃度不同，界面態(tài)引起的器件特性的退化則不同。
10.由于這種連接可能出現(xiàn)較大的泄漏溝道，故可用密封劑、密封膠帶或填料來堵塞這些溝道。
11.闡述了土谷坊的設(shè)計(jì)原則、施工方法及其在溝道治理工程中的應(yīng)用。
12.介紹一種采用電磁鐵驅(qū)動(dòng)的砂輪修整定位機(jī)構(gòu)，用于單溝道軸承磨床改造，實(shí)現(xiàn)軸承套圈雙溝道一次磨削和自動(dòng)磨削。
13.文中通過利用耗盡層阻斷溝道的方法，討論了一種基于RST結(jié)構(gòu)原理實(shí)現(xiàn)“或非”邏輯功能的器件結(jié)構(gòu)。
14.它主要是調(diào)節(jié)在特征尺寸一定的情況下通過改變有效溝道尺寸來改變工作電流的大小。
15.不過溝道應(yīng)力技術(shù)的引入使柵介電材料的替換推遲了若干代。
16.特定來說，在非易失性存儲(chǔ)器裝置經(jīng)歷許多編程循環(huán)時(shí)，電荷變?yōu)榉@在浮動(dòng)?xùn)艠O與溝道區(qū)之間的絕緣體或電介質(zhì)中。
17.P溝道MOSFET的外側(cè)。高功率特的漏源電壓。儲(chǔ)存溫度范圍。
18.實(shí)驗(yàn)得到的半波長(zhǎng)與理論計(jì)算值在誤差范圍內(nèi)一致，晶面溝道方向的阻止本領(lǐng)略大于隨機(jī)方向的阻止本領(lǐng)。
19.產(chǎn)品型號(hào)穩(wěn)定是加工水泵、紡織軸承溝道、滾道之最佳選擇。
20.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:阱和源漏極離子注入制程對(duì)淺溝道隔離性能有很大的影響。
21.屠體吊掛經(jīng)過之處，應(yīng)設(shè)有足夠?qū)挾戎?B>溝道以承接屠體所流滴之血水。
22.它綜合考慮了襯偏效應(yīng)、短溝道效應(yīng)以及兩者之間的關(guān)系。
23.村周圍成千上萬的溝道、石堰，為收藏石頭提供了絕佳的天然場(chǎng)所。
24.N溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管。
25.在較淺的溝道里，如果流量過大就可能使溝水漫溢，并引起連鎖反應(yīng)www.9061xoxo.com，從而產(chǎn)生沖溝。
26.MOSFET三級(jí)模型也成為半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ停@個(gè)模型不僅包括了亞閾值情況，而且還試圖說明了短溝道效應(yīng)和窄溝道效應(yīng)。
27.絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強(qiáng)模式，高速開關(guān)。
28.最后，模擬研究了“雙溝道”MESFET結(jié)構(gòu)，并根據(jù)模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性，優(yōu)化了“低溝道”層和“高溝道”層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。
29.經(jīng)分析，是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過大，勢(shì)壘區(qū)耗盡層遠(yuǎn)小于溝道寬度，柵壓起不到明顯的調(diào)控作用。
30.對(duì)于0。及0。以下的器件而言最大的挑戰(zhàn)之一就是如何減少短溝道效應(yīng)，解決這一挑戰(zhàn)的方法是使用超淺結(jié)工藝。
31.本發(fā)明對(duì)底電極的修飾采用溝道半導(dǎo)體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢(shì)差。
32.溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色，探討了其有別于經(jīng)典海相重力流相模式的原因。
33.傳統(tǒng)晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。
34.高能粒子在碳納米管繩里的溝道效應(yīng)，顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。
35.提出了近北遠(yuǎn)南、截流溝道、河灘漫流、排口分級(jí)管理的新觀點(diǎn)。
36.當(dāng)時(shí)，毛*席住在白育才家的五孔窯洞里，溝道對(duì)面是紅軍總部機(jī)關(guān)駐地，博古等人居住在此，相鄰的同一排窯洞設(shè)有警衛(wèi)排、伙房、機(jī)要室、電臺(tái)部等。
37.基本保留了鳳凰臺(tái)、回水溝與厚慈街的位置，對(duì)十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進(jìn)一步改善。
38.它還集成了兩個(gè)內(nèi)部低飽和PNP晶體管，措置雙溝道充電性能。
39.用掠角溝道技術(shù)和透射電子顯微鏡分析了這種硅化物的結(jié)構(gòu)。
40.溝道長(zhǎng)度約共計(jì)超。
41.模擬結(jié)果顯示：越細(xì)長(zhǎng)的溝道，器件的短溝效應(yīng)越弱，器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。
42.在應(yīng)力作用下，MOS晶體管的源漏電流的大小會(huì)隨著溝道區(qū)所受應(yīng)力大小而變化。
43.全區(qū)的護(hù)田林帶已達(dá)公里，許多侵蝕劇烈的溝道、河川被沙棘固定。
44.泥石流溝道侵蝕作為一種特殊的侵蝕類型，與一般水流相比，其侵蝕作用非常強(qiáng)烈，在一次過程中便可刷深溝床數(shù)米甚至數(shù)十米。
45.其課題在于，針對(duì)氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。
46.藉由本發(fā)明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線，避免短溝道效應(yīng)，提升元件的效能。
47.為了減小小尺寸MOS器件的短溝道效應(yīng)，采取了改進(jìn)器件的結(jié)構(gòu)、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。
48.黃土丘陵溝壑區(qū)治溝骨干工程泥沙淤積來源于坡面侵蝕、溝道侵蝕和庫(kù)區(qū)岸坡坍塌。
49.第五章設(shè)計(jì)了全P溝道TFT構(gòu)成的屏上驅(qū)動(dòng)電路，包括反相器、移位寄存器、傳輸門的設(shè)計(jì)，并用仿真軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。
50.m時(shí)，由于制造工藝的局限性以及溝道長(zhǎng)度變短、結(jié)深變淺后，器件穿通風(fēng)險(xiǎn)加大。
51.這樣在源和漏之間就產(chǎn)生了一個(gè)導(dǎo)電的n型溝道。
